為支援5G行動裝置中更多射頻元件，加速5G時代的創新！聯華電子今(2)日宣布，推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻(RF)效能下，可將晶片尺寸縮小45%以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，可滿足5G更大的頻寬需求。
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