聯華電子今（2）日宣布，推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小45%以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。
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