服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)的新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極-漏極電荷(QGD)及導通電阻RDS(on),質量因數(Figure of Merit,FoM)相較上一代同類產品提升40%。
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服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)的新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極-漏極電荷(QGD)及導通電阻RDS(on),質量因數(Figure of Merit,FoM)相較上一代同類產品提升40%。