次世代化合物半導體材料的需求正高速起飛。國立中山大學晶體研究中心與台灣應用晶體公司及其所屬集團簽訂「大尺寸氧化鎵（Ga₂O₃）晶體生長」專案合作契約，企業將挹注5千萬投入氧化鎵單晶塊材（Bulk Crystal）研究，目標3年內成功生產6吋氧化鎵單晶塊材，助攻臺灣次世代半導體材料領航優勢。
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