FIB（聚焦離子束）設備具備顯微成像、局部材料移除與沉積的能力，被廣泛應用於半導體元件失效分析、樣品製備、生醫與醫藥領域的顯微成分分析等。目前市面上主流的FIB使用液態金屬鎵作為離子源，其光源尺寸約為50奈米，在進行局部材料移除時，對樣品會有明顯的破壞，隨著半導體製程達到7nm以下，傳統FIB越來越難滿足要求。
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