小於7奈米製程時，材料分析的挑戰在於樣品製備。以超低介電材料(Low K)與7+奈米製程導入的EUV光阻為例，受限於材料天性，以電子顯微鏡觀察微結構與成分時，容易因電子束照射導致樣品變形、倒塌，造成研發人員誤判。汎銓數年前即開發原子層沉積技術(ALD)，可以解決此一問題。
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