新科技除了能應用在研發，也可用於大量生產、高效率及使用記憶測試系統的績效評估正確性都非常重要。目前STT-MRAM的切換是隨機的現象，利用電子的量子機械性以及熱誘發波動；這些電流非常弱，一般低於100微安培甚至更小，出現的時間也僅數奈米秒，因為即使測量設備可能量測在單一隧結處或單一記憶電池中的磁力切換，但對於多重記憶單元中的儲存器陣列的測量仍有困難。
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