為促進發展我國新型半導體材料的發展產業,在高功率以及高頻率應用,氮化鎵(GaN)已經是全球最受矚目的材料之一,其寬能隙、高電子遷移率、高電子飽和速度、及高熱穩定等特性為主要優勢。寬能隙特性造就其優異的崩潰電壓與熱穩定,有利於在新世代高壓、高功率通訊元件的操作;高電子飽和速度之特點更利於此元件在高頻率的卓越表現。
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為促進發展我國新型半導體材料的發展產業,在高功率以及高頻率應用,氮化鎵(GaN)已經是全球最受矚目的材料之一,其寬能隙、高電子遷移率、高電子飽和速度、及高熱穩定等特性為主要優勢。寬能隙特性造就其優異的崩潰電壓與熱穩定,有利於在新世代高壓、高功率通訊元件的操作;高電子飽和速度之特點更利於此元件在高頻率的卓越表現。